Este artículo es uno de los primeros que escribí en 1976, pero todavía puede ser montado, sólo hay cierta dificultad para obtener el transistor. El manejo de este componente también requiere cuidados.
Este mezclador de audio de dos entradas (fig. 1), cuya impedancia depende de los valores del potenciómetro de cada una, puede ser utilizado en conjunto con micrófonos, cápsulas de cerámica o cristal o con cualquier otra fuente de programa convencional.
El uso de un transistor MOSFET (Metal Oxide Semiconductor - Field Effect Transistores) en este circuito, entre otras, presenta la característica de poseer una reducidísima modulación cruzada.
La impedancia de entrada, como dijimos, dependerá de los valores de los potenciómetros usados en la entrada pudiendo este situarse entre valores comprendidos entre 100 k y 5 M).
Recordemos, sin embargo, que el uso de potenciómetros de valores más elevados implica la posibilidad mayor de captación de ruidos y zumbidos debiendo las debidas precauciones ser tomadas en estos casos.
Para una tensión de alimentación de 6 voltios este circuito drena sin señal una corriente de 3 mA
La ganancia del circuito sin carga es de 10, siendo la amplitud máxima de la señal de entrada permitida, sin haber distorsión por segado, de 0,1 voltios R.M.S. en ambas entradas. Un ajuste de la amplitud correcta de la señal en las entradas del transistor se realiza por los potenciómetros correspondientes.
Para el montaje los cuidados normales para este tipo de circuito deben ser observados: conexiones cortas, directas y blindajes siempre que sea necesario.
El MOSFET
MOSFET significa Metal Oxide Semiconductor - Field Effect Transistores, o, traduciendo al portugués, Transistor de Efecto de Campo de Óxido de Metal Semiconductor.
En este semiconductor el electrodo de compuesta consiste en una pequeña placa de metal aislada del sustrato por una finísima capa de óxido de silicio.
Como la corriente que puede circular por esta capa de aislamiento es del orden de 10 picoampères (10-11A), es decir, mucho menor que en los transistores de efecto de campo comunes; el resultado es la obtención de una resistencia de entrada del mismo orden que la de las válvulas termiónicas.
Así, en los circuitos prácticos, el MOSFET actúa esencialmente como un dispositivo amplificador de tensión.
Comercialmente los MOSFET pueden presentar una o dos compuertas y pueden o no presentar protección interna.
CUIDADOS CON LA MANIPULACIÓN DE MOSFET
El principal punto que se debe observar en relación a la constitución física de los MOSFET es la delicadeza de la película de óxido que aísla la compuesta del sustrato.
Cualquier descarga electrostática o sobrecarga por transitorios o exceso de tensión puede perforarla inutilizando el semiconductor.
Sin embargo existen MOSFET que poseen una protección interna contra este peligro que consiste en la conexión de diodos zener en oposición a la entrada como muestra la figura 2.
Por debajo de cierta tensión los diodos ofrecen extremadamente alta resistencia a la circulación de cualquier corriente y, por lo tanto, no afectan de modo sensible a la señal aplicada al transistor; cuando la tensión límite es alcanzada, los diodos zener conducen intensamente cortocircuitando la señal 'y evitando así daño a la película de óxido.
Así, mientras que los transistores de efecto de campo sin protección son extremadamente delicados en relación incluso con cargas en el cuerpo del técnico, de herramientas cercanas, exigiendo una técnica especial de manejo, los MOSFET con protección pueden ser manejados con los mismos cuidados tomados con un transistor común.
Para mayor seguridad, podemos decir que, para el manejo de un MOSFET, debemos observar las siguientes reglas:
1 - Siga estrictamente las especificaciones de los diagramas en los que se utiliza el MOSFET. No cambie los valores de los componentes o utilice una tensión diferente a la recomendada.
2 - Tome el máximo cuidado en la identificación de los terminales del MOSFET; utilice un zócalo para su instalación.
3 - No deje caer el componente, no tuerza sus terminales y no lo someta a esfuerzo mecánico excesivo; que es muy frágil puede dañarse fácilmente.
4 - No deje que el envoltorio del MOSFET se haga contacto con ninguna parte del circuito, ya que, estando eléctricamente conectado al sustrato, pueden producirse cortocircuitos que lo dañan fácilmente.
5 - Conexiones directas y cortas, corte de terminales cortas son recomendables para evitar la captación de ruidos y zumbidos o realimentaciones que puedan afectar el funcionamiento del circuito.
6 - Si utiliza sólo una de las entradas de un MOSFET de dos entradas, no deje libre la compuerta inutilizada. Se conecta a la fuente o conecte a tierra a través de una resistencia de 1 000 ohms aproximadamente.
7 - No deje que campos magnéticos fuertes alcancen el MOSFET.
8 - En la soldadura, evite que el calor desarrollado en el proceso alcance el cuerpo del componente. Utilice soldadores de pequeña potencia (máximo 30 w) y las técnicas de disipación de calor conocidas de todos los montadores que trabajan con transistores. Nunca use la pistola de soldar.
RELACIÓN DE COMPONENTES
Q1 - MOSFET - 3N187 o 40673
R1, R2 - Potenciómetros lineales - ver texto
R3 - 1,5 k - 1l8 W
R4 - 4,7 k - 1/8 W
R5 - 330 ohmios - 1/8 W
R6 - 1,8 k - 1/8 W
C1 - C2 - 0,1 uF - poliéster
C3 - 100, uF x 12 V – electrolitico
C4 – 50 uF (47 uF) - 12 V – electrolítico
C5 – 0,5 uF (470 nF) – poliéster
B1 – 6 V (4 pilas)
S1 – Interruptor simple
