El documento original es de Philips, pero ahora está disponible en NXP (www.nxp.com), que es la compañía de semiconductores que adquirió los derechos de la línea de Philips. El circuito presentado consiste en un amplificador de RF para el rango de 1880 a 1920 MHz y puede ser alimentado con tensiones de 3.3 a 3.6 V. El proyecto se desarrolla alrededor de los transistores de banda ancha BFG540 / X y también transistores de RF BFG10 / X y BFG11 / X. La potencia de salida es de 26 dBm, con una tensiónje de 3.6 V y una frecuencia de 1900 MHz. El amplificador proporciona una ganancia de 25 dB con una potencia de 26 dBm. Si se necesita una mayor ganancia, el transistor BFG505 se puede usar adicionalmente. Por lo tanto, se puede lograr una ganancia adicional de 10 dB sin un cambio significativo en el rendimiento. Como el proyecto está diseñado en torno a bipolar, no hay pérdidas de conmutación como ocurre en proyectos que utilizan FET de GaAs. El circuito amplificador tiene 3 etapas, con un BFG540 que opera en la clase A. En el documento técnico (Informe de aplicación) de NXP es posible encontrar todas las características del proyecto y también una sugerencia de una placa de circuito impreso para la elaboración de un prototipo.
