Los foto-diodos se pueden utilizar en el sensor de objetos en movimiento, como llaves ópticas y encoders. En el circuito presentado en la figura, usamos un amplificador operacional para proporcionar una tensión de 10 V para cada microampère de corriente en el sentido inverso en el diodo usado como sensor. El circuito integrado utilizado es un LM108 que utiliza dos tipos de transistores NPN en el mismo chip. Existen supertransistores con ganancias de 5000 y una tensión de ruptura de 4 V y transistores convencionales con ganancias de 200 veces y una tensión de ruptura de 80 V. La configuración de estos transistores permite obtener un alto grado de rechazo en modo común con un alto desempeño general . De esta forma es posible obtener con transistores bipolares un rendimiento incluso mejor que los obtenidos con amplificadores operacionales que usan transistores de efecto de campo. El circuito acepta dos formas de compensación de frecuencia. En uno de ellos basta conectar un capacitor de 30 pF entre la salida de la segunda etapa amplificador y la tierra y el segundo entre los terminales de compensación. La ganancia del circuito se puede cambiar con la modificación de los valores de R1 y R2. Vea que se utilizan resistores de precisión para mantener la respuesta del circuito en 10 V / uA. La fuente de alimentación debe ser simétrica. El rango de tensiones de funcionamiento del circuito integrado va de 5 a 20 V y la corriente máxima que se puede obtener en la salida con una alimentación de 15 V llega a los 8 mA. La velocidad máxima de respuesta, de algunos megahercios, depende del amplificador operacional utilizado.
