Los MOSFET de modo de mejora de canal N PANJIT PSMxN08NS1 utilizan la tecnología Trench para mejorar las características del producto. Estos MOSFET cuentan con baja resistencia de fuente a drenaje y tensión de fuente a drenaje de 80 V. Los MOSFET PSMxN08NS1 están 100 % probados contra avalanchas, 100 % probados con Rg y sin plomo de acuerdo con EU RoHS 2.0. Estos MOSFET son ideales para usar en sistemas de administración de baterías (BMS), motores de corriente continua sin escobillas (BLDC), SMPS y sistemas de energía de telecomunicaciones.
