Los MOSFET fotográficos APML-600JV/JT de Broadcom son MOSFET fotográficos de alto voltaje diseñados para aplicaciones automotrices. Estos MOSFET constan de una etapa de entrada de diodo emisor de luz (LED) infrarroja de AlGaAs que está acoplada ópticamente a un circuito detector de salida de alto voltaje. Este detector consta de un conjunto de diodos fotovoltaicos de alta velocidad y un circuito controlador para encender/apagar dos MOSFET discretos de alta tensión. El MOSFET fotográfico APML-600JV/JT se enciende (el contacto se cierra) con una corriente de entrada mínima de 1,5 mA a través del LED de entrada. El MOSFET fotográfico se apaga (el contacto se abre) a una tensión de entrada de 0,4 V o menos. Los MOSFET APML-600JV/JT cuentan con un interruptor de señal bidireccional de estado sólido compacto y cuentan con calificación AEC-Q101. Los MOSFET APML-600JV/JT proporcionan aislamiento reforzado y confiabilidad para proporcionar un aislamiento de señal seguro en aplicaciones industriales y automotrices de alta temperatura. Idealmente, estos MOSFET se utilizan para medir/detección de fugas de la resistencia de aislamiento de la batería y del sistema de gestión de batería (BMS).
