El controlador de diodo ideal LM74722-Q1 de Texas Instruments impulsa y controla MOSFET externos de canal N consecutivos para emular un rectificador de diodo ideal con control de ruta de alimentación de encendido y apagado y protección contra sobretensión. La amplia potencia de entrada de 3 V a 65 V permite la protección y el control de ECU automotrices alimentadas por baterías de 12 V y 24 V. El dispositivo puede proteger y soportar cargas de voltajes de suministro negativos de hasta –65 V. Un controlador de diodo ideal integrado (GATE) impulsa el primer MOSFET que reemplaza un diodo Schottky para protección de entrada inversa y retención de voltaje de salida. Un fuerte regulador de impulso con comparadores de encendido y apagado rápidos garantiza un rendimiento de conmutación MOSFET robusto y eficiente durante pruebas automotrices como ISO16750 o LV124, donde una ECU está sujeta a breves interrupciones de entrada y señales de entrada de CA superpuestas de hasta 200 kHz de frecuencia. Una corriente de reposo baja de 35 µA (máximo) en el LM74722-Q1 de Texas Instruments en funcionamiento permite diseños de sistemas siempre ENCENDIDOS. Con un segundo MOSFET en la ruta de alimentación, el dispositivo permite el control de desconexión de carga mediante un pin EN. La corriente de reposo se reduce a 3,3 µA (máximo) con EN baja. Utilizando un pin OV, el dispositivo cuenta con un corte de sobretensión ajustable o una protección de clip de sobretensión.
