Los transistores de potencia CoolGaN™ de 700 V de Infineon Technologies son transistores de potencia GaN-on-Si de modo mejorado con propiedades que permiten alta corriente, ruptura de alto voltaje y alta frecuencia de conmutación. Los sistemas GaN innovan con avances líderes en la industria, como el diseño de celda patentado Island Technology® que produce matrices de alta corriente y alto rendimiento. Estos transistores de potencia CoolGaN de 700 V permiten diseños de densidad de potencia ultraalta y una alta eficiencia del sistema en la conmutación de energía. Los transistores de potencia GS-065 están alojados en la carcasa PDFN con refrigeración inferior. Estos transistores de potencia ofrecen una resistencia térmica muy baja entre la unión y la carcasa, lo que los hace ideales para aplicaciones exigentes de alta potencia. Algunas de las aplicaciones incluyen soluciones informáticas y de centros de datos, adaptadores de corriente, controladores de iluminación LED, fuentes de alimentación de modo conmutado (SMPS), transferencia de energía inalámbrica y controladores de motor.
