El dispositivo semiconductor de óxido metálico (Metal-Oxide Semiconductor) fabricado en un sustrato P, los portadores de carga activa son electrones que migran entre n regiones que forman la fuente y el drenaje. En la figura, un transistor NMOS.
El dispositivo semiconductor de óxido metálico (Metal-Oxide Semiconductor) fabricado en un sustrato P, los portadores de carga activa son electrones que migran entre n regiones que forman la fuente y el drenaje. En la figura, un transistor NMOS.