Este es el acrónimo para Aislado-Gate Bipolar Transistores. Se trata de un semiconductor que es mitad FET y la mitad bipolar. En él, la corriente principal es conducida entre un colector y un emisor como en un transistor bipolar, pero esta corriente es controlada por una tensión aplicada en una compuerta, como en un FET. Los IGBTs reúnen las ventajas de los dos componentes y por eso pueden ser usados en el control de dispositivos de potencia, siendo encontrados principalmente en aplicaciones industriales. Los IGBT se utilizan para controlar solenoides, motores, fuentes dominantes y muchas otras aplicaciones importantes donde el control de altas corrientes de tensiones es necesario.
El símbolo adoptado para representar un IGBT se muestra en la figura 1.
El aspecto externo es el mismo de cualquier transistor de potencia común (Bipolar o Power MOSFET) de modo que, para saber si es un IGBT, tenemos que basarse en su número de fábrica. Los IGBT se identifican por números de fábrica. A partir de ellos podemos obtener sus principales características eléctricas que son:
a) Tensión máxima entre colector y emisor (Vce (max))
Es la máxima tensión que se puede aplicar al dispositivo.
b) Corriente máxima de colector (Ic (max))
Es la máxima corriente que el componente puede conducir cuando está conmutado.
c) Potencia de disipación (Pd)
Es la máxima cantidad de energía que puede ser convertida en calor en cada segundo (en wtts).
Los IGBT se encuentran principalmente en máquinas industriales, inversores de potencia y otros dispositivos de conmutación de alta potencia. Los IGBT siempre se montan en los disipadores de calor. En muchos casos, los IGBT pueden reemplazar directamente Power MOSFET. Por no ser muy comunes y más utilizados en aplicaciones profesionales, los IGBT se logran sólo de proveedores de mayor tamaño o especializados en electrónica industrial.